日本艺术家的刺身艺术

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同时，艺术艺术利用Ge和In掺杂提升了SnSe电子结构的电子态密度，使材料保持了大的塞贝克系数。图5 Sn0.96Ge0.02In0.02Se纳米片的（a）热电优值（ZT），刺身（b）ZT与有关报道的比较，刺身（c）平均ZT，（d）理论能量转换效率在Ge、In掺杂的SnSe纳米片中，获得1.9的峰值ZT的同时，将平均ZT从0.35提升至0.88，增大了151%。

这种电声协同效应将SnSe多晶的最高热电优值提升至1.92，日本并显著提升了其宽温域热电性能，日本平均热电优值达到0.88，宽温域热电性能的提升有效提高了材料热电转换效率。【数据概览】图1 （a）SnSe的SEM图，艺术艺术（b-d）Sn1-2xGexInxSe纳米片的SEM图。图2 Sn1-2xGexInxSe纳米片的（a）总热导率（kT），刺身（b）kT与相关报道对比，（c）晶格热导率（kL），（d）kL与相关报道对比。

【核心创新点】设计了简便、日本高效、低成本的溶液合成方法成功制备SnSe纳米片，利用纳米边界、晶格应变有效抑制晶格热导率。艺术艺术论文信息EnhancedDensityofStatesFacilitatesHighThermoelectricPerformanceinSolution-GrownGeandIncodopedSnSeNanoplatesYaruGong,ShihuaZhang,YunxiangHou,ShuangLi,ChongWang,WenjieXiong,QingtangZhang,XuefeiMiao,JiziLiu,YangCao,DiLi,GuangChen,*GuodongTang文章链接：https://doi.org/10.1021/acsnano.2c11095DOI：10.1021/acsnano.2c11095本文由作者供稿。

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